Sebuah teknologi RAM (Random Access Memory) baru saat ini tengah
dikembangkan oleh para peneliti. Dengan kombinasi tersebut, konsumsi
energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan yang jauh
lebih baik.
FeTRAM,
ferroelectric transistor random acces memory, merupakan hasil kombinasi
antara nanowire dengan polimer. Menurut pembuatnya di Birck
Nanotechnology Center (BNC) di Purdue University, berkat kombinasi
tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri dibandingkan dengan RAM
tradisional.
Ferroelektrik adalah material yang mempunyai
kemampuan untuk berganti polaritas sesuai dengan medan yang berada di
dekatnya. Sifat ini kemudian dimanfaatkan oleh para peneliti di BNC
untuk membentuknya menjadi transistor ferroelektrik yang saat ini masih
belum ada di pasaran.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar